Компания Samsung Electronics 29 мая объявила о начале предварительных поставок первым в отрасли образцов памяти седьмого поколения с высокой пропускной способностью — 12-слойной HBM4E. Как сообщает Yonhap, по сравнению с HBM4 шестого поколения максимальная скорость передачи данных по одному контакту у 12-слойной HBM4E увеличена более чем на 20% — до 16 Гбит/с, ёмкость расширена примерно с 36 ГБ более чем на 30% — до 48 ГБ, а энергоэффективность повышена на 16%. Samsung также планирует в дальнейшем предлагать версии объёмом 32 ГБ (8 слоёв) и 64 ГБ (16 слоёв), чтобы охватить различные потребности клиентов. Данная поставка состоялась всего через три месяца после того, как Samsung в феврале этого года первой в мире начала серийное производство HBM4, что стало одним из рекордных примеров сокращения сроков между поколениями в истории компании.
Что касается конкурентной ситуации, SK hynix первоначально планировала выпустить образцы HBM4E во втором полугодии, но, по данным Yonhap, благодаря успешному ходу разработок SK hynix приняла решение ускорить график поставок и, как ожидается, вскоре последует за Samsung. Борьба на рынке HBM происходит на фоне растущего спроса на высокоскоростную память со стороны производителей ИИ-чипов, таких как Nvidia. Ускорение итераций Samsung и SK hynix также совпадает с предстоящим визитом Дженсена Хуанa в Южную Корею на следующей неделе, где ожидаются переговоры о сотрудничестве в поставках HBM.