A Samsung Electronics anunciou em 29 de maio que começou a entregar a clientes globais as amostras do primeiro chip de memória de alta largura de banda (HBM) de 7ª geração do setor — o HBM4E de 12 camadas. De acordo com a Yonhap News, em comparação com o HBM4 de 6ª geração, o HBM4E de 12 camadas tem uma velocidade máxima de transferência de pinos superior a 20%, chegando a 16 Gbps, capacidade aumentada em mais de 30%, de cerca de 36 GB para 48 GB, e eficiência energética melhorada em 16%. A Samsung também planeja oferecer posteriormente produtos de 32 GB (8 camadas) e 64 GB (16 camadas) para atender às diferentes necessidades dos clientes. Este envio ocorre apenas três meses após a Samsung ter iniciado a produção em massa global do HBM4 pela primeira vez em fevereiro deste ano, estabelecendo um dos menores intervalos de iteração entre gerações da empresa.
Em termos de cenário competitivo, a SK Hynix originalmente planejava lançar amostras do HBM4E no segundo semestre, mas, segundo a Yonhap, beneficiando-se do progresso tranquilo em P&D, a SK Hynix decidiu antecipar o cronograma de envio e deve acompanhar em breve. A disputa pelo mercado de HBM ocorre em meio à expansão da demanda por memória de alta velocidade por parte de empresas de chips de IA, como a NVIDIA, e a aceleração da iteração entre Samsung e SK Hynix também ecoa as negociações de fornecimento de HBM que se espera ocorrerem durante a visita do CEO da NVIDIA, Jensen Huang, à Coreia do Sul na próxima semana.