25 мая Хэ Тинбо, директор компании Huawei и президент полупроводникового подразделения HiSilicon, выступила с основным докладом на международной конференции IEEE по электронике и системам (ISCAS 2026) в Шанхае. В ходе выступления она официально представила так называемый «Закон Тао (τ)» — принцип, предполагающий использование «микромасштабирования во времени» вместо традиционного «геометрического микромасштабирования», заложенного в законе Мура. Основным техническим методом реализации данного подхода является «логическое складывание» (Logic Folding): вертикальное наложение плоских схем позволяет сократить время распространения сигналов и повысить плотность транзисторов. Этот подход схож с технологиями 3D-упаковки от Intel (Foveros) и AMD (V-Cache), однако Huawei смогла его реализовать самостоятельно без использования оборудования для EUV-литографии. Хэ Тинбо сообщила, что за последние шесть лет компания на основе этого принципа секретно разработала и запустила в массовое производство 381 чип; работа над проектом велась группой специалистов под названием «Мое» (Mo Ye), созданной ею после введения американских санкций в 2019 году. 27 мая Чжэн Цзюнь, технический руководитель финансового подразделения Huawei, на форуме «Финансовый саммит Бухты Феникса» в Шэньчжэне дополнительно подтвердил, что чипы, созданные по принципам Закона Тао, уже используются в готовящемся к выпуску смартфоне Mate 90; по его словам, их производственные характеристики соответствуют уровню современных 3-нм техпроцессов.
Согласно опубликованным данным, плотность транзисторов в чипе Kirin 2026 (который будет установлен в Mate 90 и выйдет осенью текущего года) достигает 238 миллионов транзисторов на квадратный миллиметр, что на 53,5% выше показателей модели Kirin 9030 Pro. В теории это сопоставимо с параметрами процесса Intel 18A и базового 3-нм техпроцесса TSMC; энергоэффективность ядер типа P выросла на 41%, а их пиковая частота — на 12,7% до уровня 3,1 ГГц. Производством чипов занимается компания SMIC, используя оборудование для DUV-литографии. Аналитики из CITIC Construction Investment ранее спрогнозировали, что результаты тестирования «значительно превзойдут ожидания, превзойдут по характеристикам Apple A18 и будут сопоставимы с 3-нм техпроцессом TSMC». Согласно опубликованному графику развития по Закону Тао, к 2031 году планируется достичь плотности транзисторов свыше 400 миллионов на квадратный миллиметр и частоты 5,0 ГГц, что будет соответствовать уровню 1,4-нм техпроцессов того периода. Эксперты отрасли отмечают, что «логическое складывание» не является принципиально новым решением, однако возможность Huawei самостоятельно внедрить его в массовое производство при действующих санкциях и с использованием DUV-оборудования имеет огромное стратегическое значение; в перспективе этот подход планируется применять для выпуска чипов серии Ascend и кластеров для центров обработки данных, чтобы заместить продукцию Nvidia, недоступную на внутреннем рынке.